1.總頻差：在規定的時(shí)間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩

　　器頻率與給定標稱(chēng)頻率的最大頻差。

　　說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源穩 電壓

　　定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關(guān)心，而對其他頻

　　率穩定度指標不嚴格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導雷達。

　　       2. 頻率溫度穩定度：在標稱(chēng)電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度

　　或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。

　　fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)

　　fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] fT：頻率溫度穩定度

　　(不帶隱含基準溫度)

　　fTref：頻率溫度穩定度(帶隱含基準溫度)

　　fmax ：規定溫度范圍內測得的最高頻率

　　fmin：規定溫度范圍內測得的最低頻率

　　fref：規定基準溫度測得的頻率

　　說(shuō)明：采用fTref指標的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標的晶體振蕩器,故

　　fTref指標的晶體振蕩器售價(jià)較高。

　       　3. 頻率穩定預熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規定

　　頻率允差所需要的時(shí)間。

　　說(shuō)明：在多數應用中，晶體振蕩器是長(cháng)期加電的，然而在某些應用中晶體振蕩器需要

　　頻繁的開(kāi)機和關(guān)機，這時(shí)頻率穩定預熱時(shí)間指標需要被考慮到（尤其是對于在苛刻環(huán)境中使

　　用的軍用通訊電臺，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作為本

　　振，頻率穩定預熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘)。

　　       4. 頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)

　　系。這種長(cháng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時(shí)限后

　　的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規定的時(shí)限內最大的總頻率變化（如：

　　±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示。

　　說(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十

　　年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實(shí)驗室的條件下，溫

　　度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標失

　　去了實(shí)際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時(shí)后），±

　　30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。

　　       5.頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的

　　最小峰值改變量。

　　說(shuō)明：基準電壓為＋2.5V，規定終點(diǎn)電壓為＋0.5V和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋

　　0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為＋

　　130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm(2.5V±2V)。

　       　6.壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調制頻率之間的關(guān)系。通常用規

　　定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。

　　說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。

　　       7.頻率壓控線(xiàn)性：與理想（直線(xiàn)）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量

　　度，它以百分數表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線(xiàn)性度。

　　說(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線(xiàn)性為：≤±10%，≤±20%。簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線(xiàn)性計

　　算方法為(當頻率壓控極性為正極性時(shí))：

　　頻率壓控線(xiàn)性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%

　　fmax：VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率

　　fmin：VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率

　　f0：壓控中心電壓頻率

　       　8.單邊帶相位噪聲￡(f)：偏離邊帶的功率密度與載波f處，一個(gè)相位調制載波功率之

比。

主要參數